KHẢO SÁT Sự PHÁT TRIỂN CỦA MÀNG Ge TRÊN ĐÉ GaAs(lOO) BẰNG PHƯƠNG PHÁP EPITAXY CHÙM PHẨN TỬ

Tóm tắt

Đe thay đoi cấu trúc vùng năng lượng nhằm cải thiện tính chất phát quang của Ge người ta có thể tạo ra một ứng suất căng trong màng Ge bằng một số cách tiếp cận trong đó có phương pháp tăng trưởng Ge trên đe có hằng sô mạng lớn hơn hăng số mạng của Ge.
Trước khi nghiên cứu hệ Ge/InxGai-xAs với sự chênh lệch hang so mạng lớn giữa chúng, trước het bài báo này tập trung khảo sát điều kiện phát triên epitaxy của màng Ge trên đế GaAs (nhiệt độ tạo mẫu, sự tái cấu trúc bề mặt...) đặc biệt là nghiên cứu giai đoạn đầu của việc hình thành lớp tiếp giáp liên kết cộng hoá trị dị hướng Ge/III-Vđể đạt được màng Ge với chất lượng tốt trên đế GaAs có hằng số mạng gần như tương thích. Kiêu tăng trưởng của màng Ge trong quá trình lắng đọng được quan sát bằng thiết bị RHEED (Reflection High Energy Electron Diffraction) lắp đặt trong buồng tăng trưởng MBE (Molecular Beam Epitaxy). Phép đo kính hiến vi quét xuyên ham STM (Scanning Tunneling Microscope) được sử dụng để khảo sát hình thái bề mặt của màng trong quả trình phát triển lớp Ge trên đế GaAs(ỈOO) ưu tiên cho sự tăng trưởng: Tái cấu trúc (2x4) vùng giàu As và tái cầu trúc (4x2)/(4x6) vùng giàu Ga. Bên cạnh phép đo STM nghiên cứu này còn sử dụng thêm phép đo phổ nhiễu xạ điện tử năng lượng thấp LEED (Low Energy Electron Diffraction) để làm rõ thêm vể hình thái bề mặt trong quá trình lắng đọng của màng Ge trên đe GaAs.
Từ khóa: Ge/GaAs, tái cấu trúc bề mặt, epitaxy chùm phân tử, STM, LEED.